解決工業(yè)中矛盾的微壓接近傳感器
微壓力接近傳感器的快速發(fā)展,用電單晶體的壓型鋼板結(jié)構(gòu)開發(fā)出一種新的傳感器,以及內(nèi)置的前置放大器,放大器通過微弱信號(hào)的放大與實(shí)現(xiàn)阻抗變換,使傳感器具有小范圍、高靈敏度的特點(diǎn),抗干擾性好等。這種傳感器已廣泛應(yīng)用于脈沖、管壁壓力波動(dòng)等小信號(hào)檢測(cè)。但同時(shí),它是一個(gè)迫切需要測(cè)量這種類型的傳感器的性能與一個(gè)簡單的和方便的測(cè)量裝置。
為了解決微壓力接近傳感器的靈敏度和非線性之間的矛盾,使用復(fù)合材料梁的結(jié)構(gòu)和平板膜結(jié)構(gòu)。島上的面積不擴(kuò)大或減少的比例。首先,為了提高靈敏度,應(yīng)盡量減少窄梁面積的長度和寬度。由于對(duì)梁式膜結(jié)構(gòu)的有限元分析和近似分析分析,發(fā)現(xiàn)窄梁的長度和寬度可以明顯增加梁的應(yīng)力。當(dāng)中窄梁的長度約為兩側(cè)的窄梁長度的2倍時(shí),該裝置的線性度是適合好的。
雖然有一個(gè)結(jié)構(gòu)的雙島,但在高過載條件下,硅膜將是第一次爆發(fā)從邊界地區(qū)和角區(qū)的島嶼。這是因?yàn)閭鹘y(tǒng)的島狀膜結(jié)構(gòu)是使用傳統(tǒng)的各向異性濕法蝕刻,從背面的硅膜和背面的島嶼。硅膜為晶體表面,邊框和背面為大表面,銳角為54.74度。根據(jù)力學(xué)原理,角部區(qū)域內(nèi)存在應(yīng)力集中效應(yīng),當(dāng)硅膜被壓在前面或背面時(shí),角區(qū)將有極大的應(yīng)力值。在引入應(yīng)力分散結(jié)構(gòu)后,將角區(qū)變成了一個(gè)具有一定曲率的圓角圓角。
在硅膜和邊界的邊界或背島形成一定的曲率的半結(jié)構(gòu),使用傳統(tǒng)的各向異性濕法蝕刻不能實(shí)現(xiàn)。為了這個(gè)目的,掩模和非掩模各向異性濕法蝕刻技術(shù)被使用。
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